眾所周知，目前在的14nm、10nm、7nm、5nm芯片，在工藝上都是採用的FINFET工藝，也就是使用FinFET晶體管，這種晶體管是華人教授胡正明團隊研製的，而FinFET也叫做鰭式場效應晶體管。
但當芯片即將進入到3nm時，出現了分歧，臺積電認為3nm也依然可以採用FinFET晶體管，但三星認為FinFET晶體管不足以滿足3nm芯片的需求，決定採用GAA晶體管。
當然，由於目前3nm芯片都還沒有量產，所以究竟是FinFET晶體管好，還是GAA晶體管更好，就誰也不清楚了，但目前業界普遍認為GAA晶體管對於3nm及以下工藝的芯片會更好一些。
也正因為如此，所以美國將GAA晶體管技術列為禁止出口到中國的技術之一，所以說如果我們想要進入3nm，掌握GAA晶體管技術，是不能指望海外技術的，只能靠自己的。
而近日，復旦大學微電子學院發佈了一則新消息，那就是該校周鵬團隊，驗證了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2nm的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現了高驅動電流和低洩漏電流的融合統一。而相關的成果已經在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發表。
而這項技術的掌握，一定程度上也就是代表著我們的GAA晶體管技術得到了進一步的發展，意味著未來我們或可以不依賴國外的GAA技術轉讓或者進口，也能夠自己掌握3nm芯片的關鍵晶體管技術了。
當然，目前3nm芯片離我們還很遙遠，目前我們實際掌握的才14nm，10nm以下的比如7nm、5nm芯片隨著中芯被列入實體清單，都可能遙遙無期了，更不要說3nm了。
但對於這種先進技術的研究，我們還是需要保持著先進性的，所以這真的是算是重大究突破了，你覺得呢？
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