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DRAM价格高涨;三星/美光 SSD需求释出,供应端调整报价

财经 全球半导体观察

DRAM价格全线走扬

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本周DRAM现货市场成交氛围明显升温,在价格高涨后虽大部分工厂多持保守观望态度,但在货源接续偏紧的情况下,供应商持续惜售,报价坚挺,无让价意愿,导致新单成交价格继续上调,造成全线走扬态势,预期未来价格仍将不断垫高。

在DDR4 1Gx8 2400/2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC价格上涨至USD3.60~3.65,CJR-VKC上涨至USD3.25左右;Samsung WC-BCTD上涨至USD3.80~3.88,WB-BCRC报价上扬至USD3.45附近,AFR-UHC报价落在USD3.15~3.20。

DDR4 512x16 2400/2666部分,SK Hynix CJR-VKC报价为USD3.65~3.70左右;Samsung WB-BCRC报价跳空上扬来到USD3.58~3.64。

DDR4 256x16部分,SK Hynix BJR-UHC/BJR-VKC价格约落在USD1.65左右;Samsung WE-BCRC报价落在USD1.70~1.78附近。

DDR4 2Gx8 2666部分,SK Hynix AJR-VKC价格落在USD5.45~5.65;Samsung WM-BCTD报价为USD5.45左右。

模组现货价格参考:

KST DDR4 4G 2666 $17.25

KST DDR4 8G 2666 $29.25

KST DDR4 16G 2666 $56.00

KST DDR4 32G 2666 $109.25

KST DDR4 4G 3200 $17.75

KST DDR4 8G 3200 $30.50

KST DDR4 16G 3200 $58.50

KST DDR4 32G 3200 $114.25

NAND Flash价格疲软

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本周NAND Flash市场整体购货氛围仍不理想,盘势大多表现疲软走跌,但自周三开始陆续有Samsung/Micron SSD需求释出,供应端微幅调整报价后积极报价,市场询单一度增多,但工厂端预期未来仍有修正空间,且市场整体库存量仍供过于求,目标价格大多保守偏低,加上年关将近,部分代理商亦释出较低排单官价欲承接需求,以期明年Q1业绩,工厂大多倾向低价转单代理商,造成现货需求动能较不连续,无法有效拉擡整体买气,周四价格疲软,整体买气转为观望。

DRAM价格高涨;三星/美光 SSD需求释出,供应端调整报价

其中,Samsung SLC 1G/2G部分报价微幅振荡,但实际需求不甚明朗,报价随后趋向平缓。

SK Hynix SLC 2G/4G部分低价部位有些许询单,亦有零星成交,但拉擡力道不足,价格振荡后平缓。

Micron SLC颗粒持续到货,市场报价本处跌势,但在急单释出后,价格微幅反弹上扬,但未见明显买单支撑后疲软下跌。

Kioxia SLC颗粒需求增温,报价微幅上扬,现货供应量不足且报价偏高,买方追价意愿有限,代理商释出期货抢单,转单效应造成现货报价振荡,实际成交情况相对受限。

TF卡成交量有限

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本周TF卡表现稍为平稳,市场需求相对固定,买家问价动作断断续续,询单主要集中在8G/16G/32G部分,市场价格依然报高,目标价格提高幅度有限,双方价格仍有差距,整体成交量依然有限。

以下为OEM厂商、Kioxia以及SandDisk各自在本周的报价表现。

DRAM价格高涨;三星/美光 SSD需求释出,供应端调整报价

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封面图片来源:拍信网

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