据俄塔斯社12月7日报道，近日国际石墨烯创新大会上，中科院研发的8英寸石墨烯晶圆进行了公开展示。中科院团队表示，他们的石墨烯晶圆无论是在尺寸上还是在质量上都处于国际“领跑”水平，必然会加快我国碳基集成电路的跨越是发展。用石墨烯晶圆开发芯片被认为是最有前景的领域，当前基于硅基材料开发的芯片已经发展到了瓶颈，碳基材料大有可为。近两年我国在芯片行业上频频遭到美方卡脖子，如果在碳基芯片领域能够取得突破，电子产业的发展将不会再遭到美方限制。一些西方专家认为中方紧张光刻机只是一个幌子，目的是为了欺骗麻痹西方国家，他们正在下一代材料上寻求突破。
此次公开展示的晶圆包括超平铜镍合金单晶晶圆、8英寸石墨烯单晶晶圆、锗基石墨烯晶圆等。这些不同与硅晶圆的新材料代表着最新的发展方向，并且技术难度很高。上海的科学家们经过10年时间的研发最终实现了这些材料能够量产8英寸晶圆，让我国有了突破西方芯片封锁的希望。硅半导体材料方面我国起步太晚，技术上与国外有很大的差距，就拿芯片来说，国内能够设计先进的芯片，但是我发生产。先进的光刻机就将我国的芯片生产卡死，更不用说还有光刻胶、氢氟酸等很多化工产品。想要突破限制只能在下一代产品上实现突破，并超越西方。
第三代半导体我们已经抢跑，美国人肯定想不明白，为什么我们只用了数十年的时间，就已经可以达到如此先进的水平。目前有很多国家都在研究石墨烯晶圆，但是都还无法生产出8英寸规格的晶圆，我国处在技术领先的位置。西方国家现在还在努力规模化生产出8英寸晶圆，我国科研人员已经在研究如何进行碳基芯片的量产，如果这一步能够实现，我国芯片将不再受制于人。走到这一步我们的科研人员只用了10年时间，事实证明我们国家的科研人员能力很高，以前落后只是因为投入资金不足，投入上来后将有大批成果出现。
我们的8英寸石墨烯晶圆横空出世，其技术难度堪比光刻机。这种材料加工称芯片可能不在需要阿斯麦的高端光刻机，其将不再享有垄断地位，甚至生存都成问题。美方也开始后悔，认为不应该在芯片领域对中方卡脖子太狠，正是因为美方的限制才逼迫中方人员不得不加快研究步伐，想办法在新的领域寻求技术突破。现在他们已经获得了突破，美方在硅基半导体地位可能不保。
我国在新一代芯片材料上取得了突破，可能会彻底摆脱西方国家的芯片限制，并率先开启第三代半导体产品产业化。如果我方能够在这方面领跑世界，必然会对芯片的全球格局形成深远的影响，整个市场都会迎来大洗牌。
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