必须突破的“中国芯”
随着美国不断升级针对华为公司的芯片禁令之后，让我国科技企业深刻地认识到，虽然我国在芯片设计领域走在了全球前列，但是在芯片制造方面我国还存在较多的空白需要填补。
因此，从2020年开始，我国企业、高校、科研机构三方积极联动，试图在短时间内，于我国市场上建立起一条高度自主可控的半导体芯片产业链，当下华为公司已经对外表示，将承担起打造EDA软件的重任，但是外界更多的关注点依旧放在了高精度EUV光刻机的突破上。
毕竟大家都知道，高精度半导体芯片产业链的搭建中，最核心也最重要的技术就是高精度光刻机的突破，因为光刻在整个芯片生产过程中占据着极为重要的地位。
而当下“中国芯”的发展已经成为必须突破的关键性技术，所以国产高精度光刻机的突破在大众心中占据的地位也是极高的。
一则官宣消息从中国传出
但是，殊不知在芯片进入光刻环节后有一项技术也是十分重要的，如果这项技术我国无法突破，那么就算研发出了高精度的光刻机，也将受制于海外地区相关条例的限制，这项技术就是高精度半导体用光刻胶。
在芯片的光刻环节中，控制芯片精度的一共有两项技术，只有这两项技术的相互配合最终才能够完成芯片的光刻，而这两项技术分别是光刻机和光刻胶，越是对于精度要求高的芯片光刻，对于光刻机和光刻胶的品质要求就越高。
而目前全球高精度半导体用光刻胶的技术主要掌握在美国和日本企业手中，无论是台积电还是中芯国际在进行芯片代工时，都需要向这两个国家的光刻胶企业进口，也就是说抛开光刻机不说，光刻胶方面我国也存在着技术短板。
不过，就在11月13日一则官宣消息从中国传出后，这个技术短板就瞬间消失了。
美日这下坐不住了
这则消息就是，据我国宁波南大光电材料有限公司公开对外宣布表示，该公司首条ArF光刻胶生产线已经正式投产，估计项目完成达产后年销售额将达到10亿元。
而ArF光刻胶对于28nm到7nm制程芯片的生产都起着至关重要的作用，所以，在很大程度上，南大光电ArF光刻胶的突破就意味着我国从此之后将摆脱在高精度半导体用光刻胶领域的技术短板，特别是在7nm芯片制程的光刻胶上我国终于实现了技术突破。
而这下子美国和日本肯定是坐不住了，因为这意味着自此之后我国在光刻胶领域将不再依赖于从美日进口，这对于美国和日本光刻胶企业而言是一种打击。
同时，我国在光刻胶技术领域的突破也意味着，我国在“中国芯”的发展上再次迈进了一大步。
总结
虽然当下我国在高精度光刻机领域还没有实现最终突破，但是我国的最高科研机构中国科学院院长白春礼已经公开对外表示，将集中全院力量突破光刻机技术。
所以说我国在高精度光刻机领域的技术突破只会是时间问题，毕竟我国已经通过多次的事实证据证明，我国擅长于在技术领域实现自我突破，这次的半导体用光刻胶是这样，下次的高精度光刻机也一定会是这样。
你觉得我国能否打破ASML公司在EUV光刻机领域的垄断，打造出更高精度的EUV光刻机呢？
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