美国半导体厂商美光科技将在此前起步较晚的NAND型闪存业务上从亚洲开始挽回劣势。该公司已通过新加坡的工厂启动最尖端产品的量产供货。这款产品是在世界范围内首次实现将存储单元堆叠176层的NAND闪存。美光科技通过充分利用丰厚的政府扶持等地利，力争在日趋激化的投资竞争之中赢得一席之地。
“在DRAM和NAND两方面都获得了技术领先”，美光科技的首席执行官（CEO）桑乔伊·莫罗特亚(Sanjay Mehrotra)在1月发布2020年9～11月财报后的电话记者会上这样自信地说。
半导体存储器分为用于数据临时存储的DRAM和用于长时间存储的NAND这2大领域。美光科技在DRAM领域掌握23％市场份额，与韩国三星电子和韩国SK海力士一起形成3家垄断的体制。但美光科技在NAND的市场份额仅为11％，排在第4位，明显落后于居首位的韩国三星电子、在设备投资方面展开合作的日本铠侠 (KIOXIA Corporation，原东芝半导体）与美国西部数据(WD）的联盟。
NAND在智能手机和个人电脑等领域广泛使用，还不断应用于中美IT企业展开投资竞争的数据中心。增加存储容量的关键是在芯片之中堆叠存储单元的“堆叠化”。美光科技于2020年11月启动了176层产品的量产供货，并配备于自主品牌的存储器“solid state drive（固态硬盘，SSD）”。
176层NAND实用化
堆叠的层数越多，单位面积的存储容量也将随之增加，借此可以实现保存更多的数据或让存储设备更为节省空间。三星、铠侠—西部数据联盟仍未实现176层的产品化，目前在美光科技的竞争对手中，只有韩国SK海力士宣布2021年中期启动量产。虽然堆叠化以外的技术和产品的良品率也将对谁能赢得竞争产生影响，但在176层产品方面的领先地位有可能成为挽回劣势的基础。
美光科技在新加坡启动了最尖端NAND的量产
支撑美光科技NAND业务的是其在新加坡的基地。1998年通过从其他公司收购业务进驻新加坡，进入2010年代后相继推进大型投资，截至目前累计投入1.5万亿日元以上。2019年，第3座 新加坡积极吸引半导体产业的政策广为人知。据波士顿咨询（BCG）估算，如果将在美国运营尖端存储器工厂10年的成本定为100，新加坡则仅为79。主要原因是设备投资和法人税的优惠政策的差异。这一成本还低于美光科技的竞争对手铠侠设置存储器工厂的日本（99）和三星等拥有工厂的韩国（81）。

美光科技的solid state drive（固态硬盘）（REUTERS）
新加坡政府为了推动产业升级，出台了扶持研发的政策。在2016～2020年的五年规划《研究、创新与企业2020计划》（RIE2020）中，将工厂自动化等尖端制造业的强化列为重点，还与美光科技展开了合作。在2021～2025年的《研究、创新和企业2025计划》(RIE2025)中，还将采用人工智能（AI）等的制造业产业升级定为重点关注领域之一。
受存储器行情改善等推动，美光科技的业绩表现抢眼。2020年9～11月的合并财报显示，营业收入同比增长12％，达到57亿7300万美元，而营业利润增长67％，增至8亿6600万美元。
行业重组正被推进
但在行业内，旨在扩大规模的合纵连横不断被推进，竞争环境日趋严峻。在NAND领域居行业第5位的SK海力士2020年宣布收购居第6位的英特尔的业务。如果实现收购，将超过美光科技，成为仅次于三星、铠侠—西部数据联盟的一大势力。SK持有铠侠的附新股认购权公司债（可转换公司债、CB），计划在铠侠上市后取得约15％的股权。
在英特尔出售业务之前的2018年，美光科技取消了与该公司一直推进的在NAND领域的合作。为了确保呈现短缺态势的制造设备和原材料，规模的扩大变得重要。如果美光科技在NAND行业的重组中掉队，“存在一家独输的风险”（分析师）。这种担忧正逐渐浮现。另外，此次最尖端产品的成败还将左右今后的行业版图。
虽然涉足的产品领域有所不同，但世界最大半导体代工厂商台积电（TSMC）将2021年的设备投资额提高至创出历史新高的280亿美元。以存储器和代工为主力业务的三星半导体部门的设备投资额2021年也将首次突破3万亿日元。
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