众所周知，目前在的14nm、10nm、7nm、5nm芯片，在工艺上都是采用的FINFET工艺，也就是使用FinFET晶体管，这种晶体管是华人教授胡正明团队研制的，而FinFET也叫做鳍式场效应晶体管。
但当芯片即将进入到3nm时，出现了分歧，台积电认为3nm也依然可以采用FinFET晶体管，但三星认为FinFET晶体管不足以满足3nm芯片的需求，决定采用GAA晶体管。
当然，由于目前3nm芯片都还没有量产，所以究竟是FinFET晶体管好，还是GAA晶体管更好，就谁也不清楚了，但目前业界普遍认为GAA晶体管对于3nm及以下工艺的芯片会更好一些。
也正因为如此，所以美国将GAA晶体管技术列为禁止出口到中国的技术之一，所以说如果我们想要进入3nm，掌握GAA晶体管技术，是不能指望海外技术的，只能靠自己的。
而近日，复旦大学微电子学院发布了一则新消息，那就是该校周鹏团队，验证了双层沟道厚度分别为0．6 ／1．2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一。而相关的成果已经在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。
而这项技术的掌握，一定程度上也就是代表着我们的GAA晶体管技术得到了进一步的发展，意味着未来我们或可以不依赖国外的GAA技术转让或者进口，也能够自己掌握3nm芯片的关键晶体管技术了。
当然，目前3nm芯片离我们还很遥远，目前我们实际掌握的才14nm，10nm以下的比如7nm、5nm芯片随着中芯被列入实体清单，都可能遥遥无期了，更不要说3nm了。
但对于这种先进技术的研究，我们还是需要保持着先进性的，所以这真的是算是重大究突破了，你觉得呢？
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