众所周知，光刻机是制约我们芯片制造技术发展的重要设备之一了。因为在芯片制造环节之中，光刻机的成本占35%，工时占到40%左右。
偏偏这么重要的设备，国产的技术还是较为落后的，目前仅能生产90nm芯片制造的光刻机，而ASML的EUV光刻机，可以实现到3nm节点了。
所以如何提高国产光刻机技术，估计是国内众多网友、芯片企业们关心的共同话题了。很多人认为掌握EUV光刻机，可能是至关重要的一步，这样就可以直接搞定到10nm芯片，甚至7nm芯片。
但事实上，对于光刻机而言，不需要EUV光源，也是可以搞定10nm芯片光刻，甚至7nm芯片的光刻，而目前国产光刻机也就是卡在这一环节，只要跨过去，有望进入到10nm节点。
但需要的掌握浸润式技术。我们知道目前在光刻机上有三种光源，一种是最原始的汞灯光源，不过那是好久前了，20年前使用的技术。
后来发展到DUV光源，又有三种，那就是KrF、ArF，后来在进入到F2时卡住了，如下图，就是将光源波长减小到157时卡住了。
这时候台积电的林本坚提出一个想法，那就是浸润式，原来的光刻机使用的介质是空气，那如果介质使用水呢？利用水的折射，是不是波长就变小了，精度更高了？
于是ASML第一个实验，成功生产出第一台浸润式光刻机，利用193nm波长的光源，实现了等效134nm波长光源干的事情。
最后经intel、台积电、三星这样的大厂实验发现，这种使用193nm波长的光源的光刻机，加入浸润式技术之后，可以一直使用到7nm的芯片制造。
目前国内最强的光刻机厂商上海微电子，已经在利用ArF光源，生产出的光刻机可以用于90nm的芯片制造，只要掌握浸润式技术，就可以提升很大一步，直接到10nm、甚至7nm也是有可能的。
当然，这一步不容易迈出，但相信只要有付出，就会有收获，目前国产替代已经无法阻挡了，相信上海微电子掌握浸润式技术之后，国产光刻机会有长足发展，一定程度上缓解光刻机卡脖子的问题。
转载请超链接注明：头条资讯 » 不需要EUV光源，国产光刻机有望进入10nm，掌握浸润式技术即可
免责声明
：非本网注明原创的信息，皆为程序自动获取互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责；如此页面有侵犯到您的权益，请给站长发送邮件，并提供相关证明(版权证明、身份证正反面、侵权链接)，站长将在收到邮件24小时内删除。