国产芯片一直是大家非常关心的话题，尽管中国芯片产业谈不上落后，但也算不上先进。在整个芯片生产环节中，光刻机成为了中国半导体产业最为关心的话题，光刻机的精度，也代表了整个半导体产业的完善程度。
光刻机之所以这么难造，是因为光刻机产业链的技术实在太复杂了，投影物镜、工件台和光源，是制造光刻机的三大核心子系统。目前全球最先进的光刻机技术，都基本上被美日两国所垄断了，不过中国正在努力攻克其中的技术难点。
前些时候，一家低调的中国公司华卓精科，就实现了双工件台的重大突破，成为了全球第二家掌握高端光刻机双工件台的企业，其推出的可用于浸没式28nm光刻机的DWSi系列双工件台，将于2021年生产，对于自主光刻机起到了积极的作用。
除了双工件台这一重要系统以外，光源也是非常关键的环节，而这其中就关系着一个非常重要的材料，被称之为“光掩膜”，如果没有这个材料，就无法将集成电路刻画在晶圆上。
在整个光刻的过程中，光源通过激光将电路设计图写在光掩膜版上，然后再照射在硅片的表面，之后才会进行刻蚀工艺。
由此可见，光掩膜是整个集成电路光刻机制造中，至关重要的一部分，这对集成电路线宽也起到了一定限制作用。
长期以来，中国只具备制造中低端光掩膜的能力，并且还需要依赖海外技术、材料等，高端的光掩膜更是成为我国“卡脖子”技术之一，全球高端光掩膜主要掌握在美国、日本等公司手上，其它国家基本上没有存在感。
因此就在前段时间，中科院实现了巨大突破。今年7月，中科院发表了一篇关于《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文，曾引起广泛关注和热议，那时候正值华为被打压时，半导体产业成为了大家非常关注的话题。
有媒体看到这篇报道后，将其描述为“中国不用EVU光刻机，也能够制造出5nm芯片”，但事实并非如此，远没有媒体描述的那么夸张。
日前该论文作者就做出了解释，文中所指的技术，便是用于光掩膜制作上的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，并非是极紫外光光刻技术。
虽然这项技术尽管没有媒体描述的那么夸张，但取得的进展对我国高端光掩膜市场有着十分重要的意义，如今该技术已经完全具备自主知识产权，并且有成本更低的优点。
不过这项技术目前依然处于实验室阶段，想要实现商用并不是一件容易的事情，更何况我国的光刻机技术也非常落后，还有很漫长的一条路要走。
有媒体报道称，我国目前可以实现的自研光刻机制程为180nm，而且仍在试用阶段，还需要不断完善。
不过从上海微电子官网了解到，这家企业现在已经具备研制90nm光刻机，可满足IC前道制造90nm关键层和非关键层的光刻工艺需求，但相比起目前最先进的5nm工艺，差距确实很明显。
为什么国产光刻机技术发展如此缓慢呢？有业内人士认为，主要是因为产业环境问题所导致的。
多年以来，国产的设备一直不被市场看好，不被客户认可，这极大的阻碍了我国的光刻机自研进程。
但是随着近年来越发严峻的半导体产业危机，中兴、华为等公司因为芯片而受限，不少企业改变了以往的观点，意识到了将关键技术、设备等掌握在自己手中的重要性，所以现在中国半导体产业的发展速度有明显加快。
在双工件台之后，紧接着光掩膜也取得了巨大进展，这是一代中国科学家努力换来的结果，不过中国现在落后的地方还非常多，想要实现突破并非易事。
但即便如此，我们也应该抱有信心不断追赶，最终达到业界领先水平，期待这一刻能够尽快到来！
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