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不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

科技數碼 互聯網亂侃秀

眾所周知,光刻機是制約我們芯片製造技術發展的重要設備之一了。因為在芯片製造環節之中,光刻機的成本佔35%,工時佔到40%左右。

偏偏這麼重要的設備,國產的技術還是較為落後的,目前僅能生產90nm芯片製造的光刻機,而ASML的EUV光刻機,可以實現到3nm節點了。

不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

所以如何提高國產光刻機技術,估計是國內眾多網友、芯片企業們關心的共同話題了。很多人認為掌握EUV光刻機,可能是至關重要的一步,這樣就可以直接搞定到10nm芯片,甚至7nm芯片。

但事實上,對於光刻機而言,不需要EUV光源,也是可以搞定10nm芯片光刻,甚至7nm芯片的光刻,而目前國產光刻機也就是卡在這一環節,只要跨過去,有望進入到10nm節點。

不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

但需要的掌握浸潤式技術。我們知道目前在光刻機上有三種光源,一種是最原始的汞燈光源,不過那是好久前了,20年前使用的技術。

後來發展到DUV光源,又有三種,那就是KrF、ArF,後來在進入到F2時卡住了,如下圖,就是將光源波長減小到157時卡住了。

不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

這時候臺積電的林本堅提出一個想法,那就是浸潤式,原來的光刻機使用的介質是空氣,那如果介質使用水呢?利用水的折射,是不是波長就變小了,精度更高了?

不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

於是ASML第一個實驗,成功生產出第一臺浸潤式光刻機,利用193nm波長的光源,實現了等效134nm波長光源乾的事情。

最後經intel、臺積電、三星這樣的大廠實驗發現,這種使用193nm波長的光源的光刻機,加入浸潤式技術之後,可以一直使用到7nm的芯片製造。

不需要EUV光源,國產光刻機有望進入10nm,掌握浸潤式技術即可

目前國內最強的光刻機廠商上海微電子,已經在利用ArF光源,生產出的光刻機可以用於90nm的芯片製造,只要掌握浸潤式技術,就可以提升很大一步,直接到10nm、甚至7nm也是有可能的。

當然,這一步不容易邁出,但相信只要有付出,就會有收穫,目前國產替代已經無法阻擋了,相信上海微電子掌握浸潤式技術之後,國產光刻機會有長足發展,一定程度上緩解光刻機卡脖子的問題。

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