國產芯片一直是大家非常關心的話題，儘管中國芯片產業談不上落後，但也算不上先進。在整個芯片生產環節中，光刻機成為了中國半導體產業最為關心的話題，光刻機的精度，也代表了整個半導體產業的完善程度。
光刻機之所以這麼難造，是因為光刻機產業鏈的技術實在太複雜了，投影物鏡、工件臺和光源，是製造光刻機的三大核心子系統。目前全球最先進的光刻機技術，都基本上被美日兩國所壟斷了，不過中國正在努力攻克其中的技術難點。
前些時候，一家低調的中國公司華卓精科，就實現了雙工件臺的重大突破，成為了全球第二家掌握高端光刻機雙工件臺的企業，其推出的可用於浸沒式28nm光刻機的DWSi系列雙工件臺，將於2021年生產，對於自主光刻機起到了積極的作用。
除了雙工件臺這一重要系統以外，光源也是非常關鍵的環節，而這其中就關係著一個非常重要的材料，被稱之為“光掩膜”，如果沒有這個材料，就無法將集成電路刻畫在晶圓上。
在整個光刻的過程中，光源通過激光將電路設計圖寫在光掩膜版上，然後再照射在硅片的表面，之後才會進行刻蝕工藝。
由此可見，光掩膜是整個集成電路光刻機制造中，至關重要的一部分，這對集成電路線寬也起到了一定限制作用。
長期以來，中國只具備製造中低端光掩膜的能力，並且還需要依賴海外技術、材料等，高端的光掩膜更是成為我國“卡脖子”技術之一，全球高端光掩膜主要掌握在美國、日本等公司手上，其它國家基本上沒有存在感。
因此就在前段時間，中科院實現了巨大突破。今年7月，中科院發表了一篇關於《超分辨率激光光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，曾引起廣泛關注和熱議，那時候正值華為被打壓時，半導體產業成為了大家非常關注的話題。
有媒體看到這篇報道後，將其描述為“中國不用EVU光刻機，也能夠製造出5nm芯片”，但事實並非如此，遠沒有媒體描述的那麼誇張。
日前該論文作者就做出瞭解釋，文中所指的技術，便是用於光掩膜製作上的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，並非是極紫外光光刻技術。
雖然這項技術儘管沒有媒體描述的那麼誇張，但取得的進展對我國高端光掩膜市場有著十分重要的意義，如今該技術已經完全具備自主知識產權，並且有成本更低的優點。
不過這項技術目前依然處於實驗室階段，想要實現商用並不是一件容易的事情，更何況我國的光刻機技術也非常落後，還有很漫長的一條路要走。
有媒體報道稱，我國目前可以實現的自研光刻機制程為180nm，而且仍在試用階段，還需要不斷完善。
不過從上海微電子官網瞭解到，這家企業現在已經具備研製90nm光刻機，可滿足IC前道製造90nm關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求，但相比起目前最先進的5nm工藝，差距確實很明顯。
為什麼國產光刻機技術發展如此緩慢呢？有業內人士認為，主要是因為產業環境問題所導致的。
多年以來，國產的設備一直不被市場看好，不被客戶認可，這極大的阻礙了我國的光刻機自研進程。
但是隨著近年來越發嚴峻的半導體產業危機，中興、華為等公司因為芯片而受限，不少企業改變了以往的觀點，意識到了將關鍵技術、設備等掌握在自己手中的重要性，所以現在中國半導體產業的發展速度有明顯加快。
在雙工件臺之後，緊接著光掩膜也取得了巨大進展，這是一代中國科學家努力換來的結果，不過中國現在落後的地方還非常多，想要實現突破並非易事。
但即便如此，我們也應該抱有信心不斷追趕，最終達到業界領先水平，期待這一刻能夠儘快到來！
轉載請超鏈接註明：頭條資訊 » 太艱難了！中科院闢謠“國產5nm”，原來真實水平為180nm！
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