來源：長江商報
長江商報記者沈右榮
一直被國外壟斷的ArF光刻膠，終於邁出了國產化的關鍵性一步。
12月17日晚，南大光電（300346.SZ）發佈公告稱，公司自主研發的ArF光刻膠產品成功通過客戶使用認證，這標誌著ArF光刻膠產品開發和產業化取得了關鍵性突破。
ArF光刻膠材料是集成電路製造領域的重要關鍵材料，對國內半導體自主研發及國產化意義重大。
南大光電由南京大學孫祥禎教授創辦，近年來，公司加快產業轉型，奔跑在助力半導體產業國產化突破的路上。
長江商報記者發現，除了光刻膠外，南大光電還積極佈局有MO源、電子特氣、ALD/CVD前驅體材料等產品，這些，都是半導體產業的重要甚至是關鍵性材料。
二級市場上，近一年來，南大光電錶現出色。截至今年12月18日，股價達35.95元/股，較去年同期的14.17元/股增長153.71%。近一年，公司市值增長88.62億元。
歷時四年研發攻克ArF光刻膠
國內集成電路產業獲得重大突破！首隻國產ArF光刻膠在南大光電誕生。這是南大光電歷時四年自主研發的成果。
根據公告，近日，南大光電控股子公司寧波南大光電材料有限公司（簡稱寧波南大光電）自主研發的ArF光刻膠產品成功通過客戶的使用認證。
“ArF光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關項目，於2017年開始研發，至今已近四年。
認證評估報告顯示，本次認證選擇客戶50nm閃存產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。
南大光電在公告中表示，本次產品認證的通過，標誌著“ArF光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠，為全面完成項目目標奠定了堅實的基礎。
ArF光刻膠材料是集成電路製造領域的重要關鍵材料，可以用於90nm-14nm甚至7nm技術節點的集成電路製造工藝。廣泛應用於高端芯片製造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和雲計算芯片等。
2018年12月22日，南大光電曾披露上述項目可行性研究報告，此次實現突破的為193nm的ArF光刻膠。
在今年半年報中，公司披露，193nm光刻膠作為當前高端芯片製造中最為核心的原材料，被譽為半導體工業的“血液”，可以用於90nm~14nm技術節點的集成電路製造工藝。
截至今年6月底，公司安裝完成一條193nm光刻膠生產線，用於產品檢測的光刻機也已完成安裝，產線和光刻機均處於調試階段。
上述項目投資6.56億元，根據規劃，南大光電將達到年產25噸193nm（ArF乾式和浸沒式）光刻膠產品的生產規模，以滿足集成電路行業的需求。
市場認為，ArF光刻膠的市場前景好於預期。隨著國內IC行業的快速發展，自主創新和國產化步伐的加快，以及先進製程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。
南大光電錶示，目前與客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中。同時，ArF光刻膠的複雜性決定了其在穩定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險，其在應用工藝的改進、完善等方面的表現，都會決定ArF光刻膠的量產規模和經濟效益。
光刻膠的成功攻克，較大地鼓舞了人氣。二級市場上，12月18日，南大光電大漲8.22%。
長江商報記者發現，二級市場上對南大光電一直較為看好。去年以來，公司股價持續上行，去年5月，股價最低為8.15元/股，12月18日上漲至14.17元/股。到今年12月18日，股價達35.95元/股，一年之間，股價上漲1.53倍。
多途佈局半導體材料助力國產化
不僅僅是光刻膠，南大光電還積極佈局電子特氣等多種半導體材料，助力集成電路產業國產化。
官網顯示，南大光電的歷史起源於1986年，技術來源於南京大學。創始人孫祥禎教授開始承擔國家科委組織的“高純度金屬有機化合物（MO源）”國家“七五”重點科技攻關的研究與開發，高純三甲基銻研發成功。1991年，研究組向國內半導體材料科研和生產需求單位提供多種MO源產品。2000年，開發出適合三甲基鎵、三甲基銦等大規模工業化生產的新工藝，實施高純三甲基鎵、三甲基銦、二乙基鋅、二茂鎂的產業化生產。
2000年12月28日，南大光電正式成立，2012年8月7日，在創業板掛牌上市。近年來，公司依靠自主研發創新推進產業轉型升級，助推中國集成電路加速國產化。
經過多年系列佈局，如今的南大光電產業佈局，除了光刻膠外，還有MO源、電子特氣、ALD/CVD前驅體材料等三大板塊。
在這三大板塊中，MO源系列產品是製備LED、新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料，在半導體照明、信息通訊、航空航天等領域有極其重要作用。目前，南大光電是全球主要MO源生產商，市佔率約為25%，產品主要應用於製備LED外延片等，不僅實現了進口替代，還遠銷亞太及歐美地區。
電子特氣是集成電路、平面顯示器件、化合物半導體器件、LED、太陽能電池、光纖等電子工業生產中必不可少的基礎和支撐性材料。南大光電生產的高純磷烷、砷烷純度達到6N級別，產品在LED行業取得主要的市場份額。同時，在IC行業，公司實現了產品進口替代。2019年下半年，公司收購山東飛源氣體57.97%股權，進一步推進電子特種氣體業務佈局。
高純ALD/CVD前驅體是整個電子工業體系的核心原材料之一，廣泛應用於手機電腦芯片、太陽能電池、移動通訊、衛星導航、航天器等諸多方面，在航空航天、新型太陽能電池、電子產品等領域發揮著巨大作用。南大光電掌握了多種ALD/CVD前驅體材料的生產技術，並且具備規模化生產能力，可提供包括TDMAT在內的多種產品，部分產品已經通過客戶驗證，實現了小批量銷售。
南大光電的目標是，成為一家國內一流、具備國際競爭力的電子材料企業。
技術驅動的南大光電積極投身研發。2018年、2019年，公司研發投入為0.37億元、0.66億元，分別佔當期營業收入16.37%、20.49%。
近幾年，南大光電經營業績持續增長。2017年至2019年，公司實現的營業收入為1.77億元、2.28億元、3.21億元，同比增長74.90%、28.76%、40.85%。歸屬於上市公司股東的淨利潤（簡稱淨利潤）為0.34億元、0.51億元、0.55億元，同比增長348.28%、51.43%、7.36%。
今年前三季度，公司實現營業收入4.29億元、淨利潤0.89億元，同比增長96.15%、97%。
市場估計，隨著光刻膠的量產，南大光電的盈利能力將會得到明顯提升。
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責編：ZB
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