必須突破的“中國芯”
隨著美國不斷升級針對華為公司的芯片禁令之後，讓我國科技企業深刻地認識到，雖然我國在芯片設計領域走在了全球前列，但是在芯片製造方面我國還存在較多的空白需要填補。
因此，從2020年開始，我國企業、高校、科研機構三方積極聯動，試圖在短時間內，於我國市場上建立起一條高度自主可控的半導體芯片產業鏈，當下華為公司已經對外表示，將承擔起打造EDA軟件的重任，但是外界更多的關注點依舊放在了高精度EUV光刻機的突破上。
畢竟大家都知道，高精度半導體芯片產業鏈的搭建中，最核心也最重要的技術就是高精度光刻機的突破，因為光刻在整個芯片生產過程中佔據著極為重要的地位。
而當下“中國芯”的發展已經成為必須突破的關鍵性技術，所以國產高精度光刻機的突破在大眾心中佔據的地位也是極高的。
一則官宣消息從中國傳出
但是，殊不知在芯片進入光刻環節後有一項技術也是十分重要的，如果這項技術我國無法突破，那麼就算研發出了高精度的光刻機，也將受制於海外地區相關條例的限制，這項技術就是高精度半導體用光刻膠。
在芯片的光刻環節中，控制芯片精度的一共有兩項技術，只有這兩項技術的相互配合最終才能夠完成芯片的光刻，而這兩項技術分別是光刻機和光刻膠，越是對於精度要求高的芯片光刻，對於光刻機和光刻膠的品質要求就越高。
而目前全球高精度半導體用光刻膠的技術主要掌握在美國和日本企業手中，無論是臺積電還是中芯國際在進行芯片代工時，都需要向這兩個國家的光刻膠企業進口，也就是說拋開光刻機不說，光刻膠方面我國也存在著技術短板。
不過，就在11月13日一則官宣消息從中國傳出後，這個技術短板就瞬間消失了。
美日這下坐不住了
這則消息就是，據我國寧波南大光電材料有限公司公開對外宣佈表示，該公司首條ArF光刻膠生產線已經正式投產，估計項目完成達產後年銷售額將達到10億元。
而ArF光刻膠對於28nm到7nm製程芯片的生產都起著至關重要的作用，所以，在很大程度上，南大光電ArF光刻膠的突破就意味著我國從此之後將擺脫在高精度半導體用光刻膠領域的技術短板，特別是在7nm芯片製程的光刻膠上我國終於實現了技術突破。
而這下子美國和日本肯定是坐不住了，因為這意味著自此之後我國在光刻膠領域將不再依賴於從美日進口，這對於美國和日本光刻膠企業而言是一種打擊。
同時，我國在光刻膠技術領域的突破也意味著，我國在“中國芯”的發展上再次邁進了一大步。
總結
雖然當下我國在高精度光刻機領域還沒有實現最終突破，但是我國的最高科研機構中國科學院院長白春禮已經公開對外表示，將集中全院力量突破光刻機技術。
所以說我國在高精度光刻機領域的技術突破只會是時間問題，畢竟我國已經通過多次的事實證據證明，我國擅長於在技術領域實現自我突破，這次的半導體用光刻膠是這樣，下次的高精度光刻機也一定會是這樣。
你覺得我國能否打破ASML公司在EUV光刻機領域的壟斷，打造出更高精度的EUV光刻機呢？
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