摘要：近日，有多位數碼博主公佈實測數據稱，華為Mate40 Pro的閃存讀寫速度超過了UFS 3.1，疑似採用了華為自研的一種新型閃存（或為sfs 1.0）。
近日，有多位數碼博主公佈實測數據稱，華為Mate40Pro的閃存讀寫速度超過了UFS 3.1，疑似採用了華為自研的一種新型閃存（或為sfs 1.0）。
根據數碼博主@小白測評 實測數據顯示，華為Mate40 Pro的持續讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s，遠高於其他旗艦手機。作為對比，採用UFS3.1閃存的小米10至尊版的讀寫速度分別為1772MB/s、789MB/s；三星Note20 Ultra分別為1750MB/s、736MB/s。可見，華為Mate40 Pro閃存寫入提升十分明顯，增幅超過70%。
在隨機讀寫性能方面，華為Mate40 Pro隨機讀取速度實測為383MB/s，隨機寫入更是達到了誇張的548MB/s，較一般UFS 3.1機型幾乎翻倍。
此前有博主猜測，Mate 40 Pro能如此高的讀寫速度，可能是華為將UFS 3.1優化到了極致。但根據艾奧科技的Mate40 RS保時捷設計的拆機視頻中，第一次發現了印有海思Logo的閃存，這似乎已經說明，華為已經有自研的閃存了。
隨後有網友爆料稱，華為Mate 40 Pro、Mate 40 Pro 以及Mate40 RS保時捷設計採用了華為自研的一種新型閃存（或為sfs 1.0）。但華為官方從未公開提及，也未在發佈會上進行宣傳，技術細節尚不清楚。但實測結果已經表明，華為Mate 40 Pro的閃存性能目前在眾多旗艦機中是一馬當先，至於所有閃存背後的技術，還有待更多挖掘。
其實華為很早就有自研SSD閃存控制器，同時有做一些閃存技術的研發也並不奇怪。但是，需要指出的是，華為海思只是芯片設計公司，芯片製造一向是交由晶圓代工廠來生產。但是，在存儲芯片市場，並沒有代工一說，因為主流的的存儲芯片廠商都是IDM，即自己設計、自己生產，而且不會給其他芯片設計公司代工存儲芯片。
考慮到美國禁令的影響，很多芯片廠商在9月15日之後，就無法向華為供貨，華為還在現貨市場買了很多存儲芯片，可能是為了避免對供應商產生影響，也可能是為了避免外界對於華為目前的存儲芯片的庫存情況的推測，華為有可能會對存儲芯片進行重新絲印，打上海思的LOGO。
但是，這並不能完全解釋，為何Mate 40 Pro系列的存儲芯片的讀寫性能表現能大幅超過UFS3.1。那麼是華為與存儲芯片廠商合作，在存儲芯片當中加入了其自研的IP了嗎？
當然，這些都只是猜測，具體如何可能還需要對其存儲芯片進行更為深入的分析才能解開謎團。
編輯：芯智訊-林子
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