美光今天宣佈，已經開始批量出貨基於1αnm工藝的DRAM內存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能並降低功耗。
不同於CPU、GPU等新品，DRAM內存、NAND閃存的工藝節點都不使用明確的數字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往後越先進，或者說1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。
美光的1αnm DRAM工藝可適用於各種不同的內存芯片，尤其適用於最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比於1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓功耗降低15％，能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續航更持久。
美光臺灣晶圓廠已經開始量產並出貨1αnm DRAM內存芯片，首批是DDR4內存條，隸屬於Crucial英睿達品牌，還在試產和評估LPDDR4，後續會用於更多內存類型。
【來源：快科技】【作者：上方文Q】
轉載請超鏈接註明：頭條資訊 » 美光全球首創1αnm內存工藝：LPDDR5容量密度大漲40％
免責聲明
：非本網註明原創的信息，皆為程序自動獲取互聯網，目的在於傳遞更多信息，並不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；如此頁面有侵犯到您的權益，請給站長發送郵件，並提供相關證明(版權證明、身份證正反面、侵權鏈接)，站長將在收到郵件24小時內刪除。