光刻機是芯片製造過程中，所需的最核心設備，光刻機的精度決定著芯片的上限。
目前，還有ASML有能力生產最先進的EUV光刻機，三星、臺積電都是ASML的客戶。但受《瓦森納協定》的制約，中國大陸沒有從ASML買來一臺EUV光刻機。
在2020年11月的世博會上，ASML展示了DUV光刻機。該DUV光刻機可以生產7nm芯片，中國可以從ASML採購，且不受美國製約。
那麼，既然DUV光刻機能銷往中國，也能製造7nm，為什麼都搶著買價格更昂貴的EUV光刻機？
首先，二者所用的準分子激光束不同，造成精度不同。
在芯片製造過程中，EUV光刻機採用的是極紫光源，波長為13.5nm，光束功率更強，精度也更高。
可以輕鬆製造出7nm芯片，甚至5nm、3nm。
而DUV光刻機則採用的準分子深紫外光源，乾式光刻技術最高能實現157nm波長；浸沒式光刻技術能實現193nm，等效134nm的波長。DUV光刻機與EUV光刻機的差距一目瞭然。
在曝光過程中，波長更長的DUV光刻機光束散射、折射更多，這影響了其精度效率。
因而，DUV光刻機雖能實現7nm，但效果並不如EUV光刻機理想。
其次，光刻機波長決定著光刻技術的分辨率套刻精度。
頻率高、波長短的光束透鏡補償更直接，因而良品率更高，並且精度上限更高。EUV光刻機能實現7nm，甚至是5nm、3nm。
而DUV光刻機則需要多次曝光之後，才能實現7nm，無法繼續提高精度，並且多次曝光使得製造芯片的成本更高。
因此，荷蘭DUV光刻雖然能製造7nm，但EUV光刻機是最佳選擇。
中芯國際追求EUV光刻機之路
前段時間中芯國際“內訌”風波時，在網傳樑孟鬆辭職信中有提到，中芯國際已經攻克的5nm、3nm關鍵技術，只等EUV光刻機。不難看出EUV光刻機的重要性。
若是中國能買到一臺EUV光刻機，那中國芯片產業將實現一次大跨越。
因此，中芯國際一直想要買到一臺EUV光刻機。2018年，中芯國際曾從ASML買到了一臺EUV光刻機，荷蘭政府也向ASML發放了出口許可。
然而，就在等待交付的時間裡，發生了一系列的變化，美國向荷蘭政府施壓、ASML主要元件供應商工廠起火等等。最終，中芯國際至今沒有收到這臺EUV光刻機。
近來有消息稱，中芯國際將就EUV光刻機問題，同ASML進行談判。這一次，中芯國際能否迎來EUV光刻機，就讓我們拭目以待。
文/BU 審核/子揚 校正/知秋
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