最近一段時間，世界最先進的兩家晶圓代工廠，臺積電和三星公佈了未來的製程工藝路線圖。綜合各媒體消息來看，臺積電3nm工廠已經毫無懸念。而2nm、1nm甚至1nm以下的工藝節點也已有佈局。
臺積電南京公司總經理羅鎮球今年八月在一個演講中也表示：
目前為止，我們看到3納米、2納米、1納米都沒有什麼太大問題。
3nm：蘋果已下單？
按照臺積電規劃，臺積電3nm工廠已經搭建完畢，正在全力提升良率，。樂觀估計，臺積電明年就將完成認證與試產，2022年開始量產。根據臺積電的說法，3nm 製程與5nm相比，同等面積內將增加70％的晶體管數量，降低30%的功耗以及提升15%的性能。
有消息稱，蘋果芯片部門已經開始與臺積電商討3nm芯片訂單事宜，或將使用3nm芯片率先生產PC上使用的M系列芯片，保證Macbook、iMac和Mac系列產品的芯片在工藝上對英特爾的領先。但該說法未得到蘋果和臺積電的證實。
2nm：啟用下一代結構，挑戰巨大
按照工藝製程的命名規則，每一代關鍵工藝的從3nm製程工藝開始，每降低1nm都是一個關鍵工藝節點，2nm也將成為三星和臺積電的重點爭奪對象。據《電子時報》報道，臺積電近日宣佈在2nm 製程上取得重大內部突破，有望於 2023 年下半年進行風險性試產，2024 年投入量產。
目前，臺積電無論是5nm還是3nm，晶體管都採用了14nm沿用下來的FinFET結構，而面對2nm或者更先進的製程，將啟用全新的GAAFET（環繞柵極晶體管）結構（簡稱GAA）。
對於臺積電和三星來說，GAA工藝都將是一個巨大的挑戰，不僅同時攻克晶體管尺寸縮小上帶來的挑戰，還需要面對製造全新複雜結構的巨型難題。按照臺積電的規劃，從3nm縮小到2nm，GAA的從無到有僅需要1年時間，這不由得讓人懷疑是否能夠如期完成。
三星宣佈將在3nm節點上提前啟用GAA技術，企圖彎道超車領先於臺積電。但是由於GAA結構複雜，設計難度大，工藝流程繁瑣，對材料的要求更高。有業內人士預計，三星貿然提前GAA結構，可能會遭遇嚴重的良率問題，在3nm節點上繼續落後於臺積電。
1nm：關鍵設備與材料已突破
12月26日，有媒體報道稱，臺積電將在高雄市落地1nm晶圓工廠。高雄市政府雖然態度很積極，但是臺積電董事長劉德音仍表示"以後有機會，短期沒規劃"，態度相對保守。
雖然在廠房建設上沒有進一步規劃，但是臺積電在關鍵設備和材料已經實現了突破性進展。荷蘭光刻機製造商ASML表示，目前已經完成了適用於1nm製程工藝生產的EUV曝光系統的基本設計，2022年實現商業化，預計在2023年交付臺積電和三星。
臺灣交通大學與臺積電也在二維絕緣材料是實現了重大突破，開發出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導體材料絕緣體，有望藉此實現1nm製程。
目前，臺積電預計2024年開始1nm製程工藝風險試產，2025年實現早期量產。1nm是目前半導體產業清晰看到的可實現最先進工藝。因此，1nm關鍵節點也被認為是臺積電和三星的最終之戰。
0.1nm：埃米時代
目前，除了三星和臺積電已經殺入5nm領域，其他廠商仍然停留在"兩位數"時代，0.1nm看起來是遙不可及的"夢幻領域"。但是臺積電表示依然有信心攻克0.1nm製程，進入"埃米時代"（1埃米=1納米）。早在2019年，臺積電研發負責人黃漢森就表示，毋庸置疑，摩爾定律依然有效且表現良好，它沒有死掉、也沒有減緩。
當時黃漢森展示的路線圖中，就出現了0.1nm製程節點，有望在2050年之前實現。
臺積電目前將0.1nm視為"超前規劃"，技術路線並不明確。
臺積電的相關科研部門承諾，將投入43.72億元推動"埃米時代"計劃，率先探索"埃米時代"的技術路線，做廠商的領路人。
在"埃米時代"的芯片製造將遇到各種嚴重困難，如今現有的許多技術都將失效，GAA結構也不再適用。當下炙手可熱的EUV系統也無法滿足"埃米時代"的芯片生產需要，人類必須採用更先進的曝光技術，刻蝕機和離子注入機等關鍵設備也將全面進化。
另外，也有專家指出，0.1nm製程可能不是芯片製造的必然路線，或另闢蹊徑使用碳納米管制作芯片，獲得更高的計算性能以及更低的功耗，臺積電在碳納米管技術上也有一定儲備。
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