根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發佈了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。
SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存採用加速技術，數據傳輸速度提高了 33%，達到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產品，並計劃推出消費者和企業SSD產品，進而擴大該產品的應用市場。
SK 海力士還計劃開發基於 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續增強其在NAND閃存業務的競爭力。
11月初，美光科技宣佈已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存。這款 176 層 NAND 產品採用美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。
美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比，176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層 NAND 採用緊湊型設計，裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。美光 176 層三層單元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圓製造工廠量產並向客戶交付，包括通過其英睿達 (Crucial) 消費級 SSD 產品線。美光將在 2021 日曆年推出基於該技術的更多新產品。
【來源：IT之家】【作者：孤城】
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