隨著電競行業、內容創作行業的不斷髮展，主流SSD無論是吞吐性能還是隨機性能，已經不能滿足用戶實際使用需求，高性能主機時代需要更加出色的硬盤來委以重任。
今天筆者給大家帶來一款出自三星之手的——三星980PRO PCIe4.0固態硬盤，是一款定位於旗艦的高性能SSD產品， 一登場便打破固態硬盤多項記錄。
為了能夠讓大家更加清晰的瞭解三星980PRO PCIe4.0固態硬盤強悍的性能，筆者接下來將進行CrystalSSDMark測試，這也是當下固態硬盤公認的測試軟件，成績如下。
在CrystalDiskMark測試中，三星980PRO PCIE4.0 SSD的表現果然讓人驚歎，最大連續讀取性能達到7099MB/S，最大連續寫入速度則達到了5154MB/S，幾乎逼近了PCIE4.0帶寬下的極值。
或許有人或有疑問，這樣強大的性能，其背後的原因是什麼，這要從三星980PRO PCIe4.0固態硬盤的主控以及顆粒說起。
主控方面，採用了三星針對PCIE4.0協議設計的全新主控，Elpis主控。Elpis源於希臘語，中文讀音“厄爾庇斯”，中文直譯則是“（希望）女神”，從主控的命名中，可以感受到三星品牌存儲對於這款980PRO PCIE4.0 SSD寄予的厚望和期待。
技術層面，Elpis主控採用三星自研的全新8nm製程工藝，全面支持PCIE4.0協議，同時能夠滿足下一代開發、計算等需求，新的Elpis主控支持128隊列並行工作，支持128個I/O隊列同步進行數據處理。
相較於上一代的Phoenix主控，隊列數（32隊列）提升了約400%，根據三星提供的數據，單個隊列下，包含了超過64000命令集，這也就意味著三星Elpis主控內部的128個隊列，可以同步處理最高超過800萬個命令。這樣的性能，足以滿足絕大部分用戶，最為嚴苛的數據存儲需求，同時也將滿足PCIE4.0時代下，對於固態硬盤主控性能需求。
閃存顆粒方面，進入PCIE4.0時代，為了進一步滿足用戶對於性能和容量的需求，三星品牌存儲再次推出了全新的第六代V-NAND閃存顆粒，根據官方介紹，第六代V-NAND顆粒在製程工藝上，充分利用三星獨創的“通道孔蝕刻”技術，通過建立一個由100多個層組成的導電晶片堆棧，然後從上到下垂直穿孔，形成均勻的三維電荷阱閃存（CTF）單元，從而實現了，在9x層單堆棧結構基礎上增加了大約40%的存儲單元。
第六代V-NAND顆粒
眾所周知的是，隨著每個單元區域中的晶片堆疊高度的增加，NAND閃存芯片更容易出現錯誤和讀取延遲。為了克服這些限制，三星採用了速度優化的電路設計，使其能夠實現比第五代V-NAND更快的數據傳輸速度，寫入操作的時間少於450微秒（μs），讀取操作的時間少於45μs。與上一代產品相比，性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。
寫在最後，三星980PRO PCIe4.0固態硬盤特色還有很多，例如三位一體的智能散熱機制、二代智能TurboWrite機制的創新技術，這都是三星980PRO PCIe4.0固態硬盤拔得頭籌的重要因素。
如果你想要電腦有極致的流暢體驗，不妨入手這款三星980PRO PCIe4.0固態硬盤，將會刷新對固態硬盤以往的認知。
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